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陈刚

时间:2023年02月25日  点击数:

个人简介



 

陈刚教授

教育经历:

  • 2006.9-2009.7:南京大学物理系微电子学与固体电子学专业学习,获得工学博士学位;

  • 1994.9-1998.7:南京大学物理系半导体物理专业学习,获得理学学士学位。

 

工作经历:

  • 1998.8-2022.10:中国电子科技集团公司第五十五研究所从事科研开发、应用推广、市场对接工作

  • 2022.11-至今:山东产业技术研究院(烟台)先进半导体功率器件研发中心主任

 

目前研究领域:

  • Si基SBD、MOS、IGBT等常规半导体器件及应用;

  • SiC、GaN基等宽禁带半导体功率电子材料、芯片设计及研究;

  • 大功率电力电子器件、新型高压SiC器件、GaN快速功率器件等封装技术研究;

  • SiC混合模块、全SiC模块、GaN功率模块等封装技术及应用研究。

 

承担研究课题:

  • 2008.1~2011.12,重大专项项目,“L、S波段SiC固态微波功率器件”,子专题“3英寸SiC MESFET器件工艺技术”,主持;

  • 2008-2010年,十一五预研项目,“SiC微波功率器件、单片功率放大器”,500万元,主持;

  • 2010.1~2011.12,预先研究电子支撑技术项目,“碳化硅高压结型场效应三极管研究”,200万元,主持;

  • 2011.12013.12,国家高技术研究发展计划(863计划),“能源高效转换高压大容量新型功率器件研发与应用”,子项目主持;

  • 2011.12015.12“十二五”预先研究项目,“新结构SiC微波大功率器件”,51308030118580万元,主持;

  • 2014.12017.12,科技部国家科技重大专项,01专项,“SiC千瓦级大功率开关器件”,2013ZX01001-0012293万元,子项目主持;

  • 2014.12016.12,科技部国家高技术研究发展计划(“863”项目),“基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用”,2014AA052401188万元,子项目主持;

  • 2016.62020.12,科技部国家十三五重点研发项目,“基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用”,2287万元,子项目主持;

  • 2018.12022.8,电子元器件型谱系列科研项目,“1200V碳化硅MOSFET功率模块”,500万元,主持。

 

公司产品:

  • 招收宽禁带半导体器件设计、工艺制作与封装测试方向研究生,2023年开始招生。

代表性成果:

  • 先后获得省部级技术发明奖一等奖1项,科学技术奖一等奖1项。2004年以来,在《Solid State Electronics》和《Chinese Physics B》等国内外学术期刊上发表术文章36篇,其中SCI(科学索引)收录2篇,EI(工程索引)收录12篇。获得授权国家发明专利授权10项,其中排名第一的6项。

  • 代表性成果如下:

编号

何刊物发表(或何学术会议交流)

发表(交流)时

独著或合著名次

收录

1

n型4H-SiC欧姆接触特性研究

13届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

2004

第一作者

2

n沟道4H-SiC MESFET器件研究

固体电子学研究与进展

2005

第一作者

3

1-mm SiC多指栅微波功率器件研究

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

2005

第一作者

4

Fabrication and characterization of 150um total gate periphery 4H-SiC MESFET

2006 China-Japan Joint Microwave Conference Proceedings

2006

第一作者

5

SiC MESFET器件工艺研究

14届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

2006

第一作者

6

S波段4W SiC MESFET器件研制

全国第十一届微波集成电路与移动通信学术会议

2006

第一作者

7

1-mm栅宽SiC MESFET微波功率器件研究

6届全国毫米波亚毫米波学术会议论文集

2006年8月

第一作者

8

S波段4W SiC MESFET器件研制

2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

2006年9月

第一作者

9

Fabrication and characterization of 150um t otal gate periphery 4H-SiC MESFET

2006 China-Japan Joint Microwave Conference Proceedings

2006年8月

第一作者

EI

10

SiC MESFET器件工艺研究

半导体学报增刊第28卷

2007年9月

第一作者

11

Properties of Homoepitaxial 4H-SiC and Characteristics of Ti4H-SiC Schottky Barrier Diodes

The 6th International Conference on Thin Film Physics and Application

2007年9月

第一作者

EI

12

Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes with field plate and B+ implantation edge termination technology

半导体学报第28卷

2007年第9期

第一作者

EI

13

3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

2007年11月

第一作者

14

Fabrication of SiC MESFETs for Microwave Power Applications

半导体学报第28卷

2007年第1期

第二作者

15

导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

半导体学报增刊第28卷

2007年9月

第二作者

16

4H-SiC欧姆接触与测试方法研究

固体固体电子学研究与进展

2008,28(1)

第一作者

EI

17

大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究

第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

2008年9月

第一作者

18

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

半导体技术增刊 Vol. 33

2008

第一作者

19

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

半导体技术增刊 Vol. 33

2008

第一作者

20

Microwave power of S-Band 20mm SiC MESFETs

电子器件和固态电路国际会议 (EDSSC)(EI收录)

2009年11月

第一作者

EI

21

Physical simulations and experimental results of a 4H-SiC MESFET on high purity semi-insulating substrate

Chinese Physics B

2009年10月

第一作者

SCI

22

采用场板和边缘终端技术的大电流Ni/4H-SiC SBDs

固体电子学研究与进展

2009年第4期

第一作者

23

微波大功率SiC MESFET及MMIC

中国电子科学研究院学报

2009年4月

第二作者

24

Microwave power and simulation of S-band SiC MESFETs

Solid-State Electronics

2010年4月

第一作者

SCI

25

UHF频段高功率SiC SIT

固体固体电子学研究与进展

2011,31(1):pp:20-23

第一作者

26

213 W 500 MHz 4H-SiC static induction transistor

2011 3rd International Conference on Mechanical and Electronics Engineering

2011.9,pp.161-163

第一作者

EI

27

5A 1300V Trenched and Implanted 4H-SiC vertical JFET

Mechanical and Electrical Technology IV(Applied Mechanics and Materials)

2012.4,Vol. 229-231,pp.824-827

第一作者

EI

28

金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

2012.11,pp.478-481

第一作者

29

Study of Small Signal of 4H-SiC Static Induction Transistor

TELKOMNIKA

Vol. 11, No. 5, May 2013, pp. 2838 ~ 2844

第一作者

EI

30

Fabrication of L band 4H-SiC SIT devices

Instruments, Measurement, Electronics and Information Engineering

2013.5,pp.3413-3416

第一作者

EI

31

Progress of high voltage trenched and implanted 4H-SiC vertical JFET

Energy and Power Engineering PART III

Vol. 5, 2013, pp. 1284-1287

第一作者

32

Development of 1000V SiC JBS diodes

Advances in Mechatronics, Automation and Applied information Technologies

2013.9,pp:741-744

第一作者

EI

33

L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究

2013年全国微波毫米波会议(NCMMW2013)

2013.5,pp.1170-1172

第一作者

34

高压SiC JFET研究进展

固体固体电子学研究与进展

2013,33(3):pp.1-5

第一作者

35

Study on fabrication and fast switching of High Voltage SiC JFET

Solar Energy Materials and Energy Engineering( Advanced Materials Research)

2013,9,pp.282-286(Vol. 846-847 (2014),pp 741-744)

第一作者

EI

36

Fabrication and Evaluation of a 2000V-4A SiC Module

2nd International Forum on Electrical Engineering and Automation (IFEEA 2015)

2015年

第二作者

EI

 

序号

专利名称

授权号

专利类别

发明人排序

1

一种改善SiC台面底部的刻蚀方法

ZL 201210355925.9

发明专利

第一发明人

2

一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法

ZL 201210244717.1

发明专利

第一发明人

3

一种减小SiC凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法

ZL 201210424730.5

发明专利

第一发明人

4

用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法

ZL 201210302115.7

发明专利

第一发明人

5

一种台阶高度实时监控的SiC光敏掩膜刻蚀方法

ZL 201310113354.2

发明专利

第一发明人

6

一种SiC静电感应晶体管减小栅长的方法

ZL 201310505608.5

发明专利

第一发明人

7

SiC器件的电学隔离方法

ZL 200610096641.7

发明专利

第二发明人

8

一种复合结构SiC衬底器件的切割方法

ZL 201510636025.5

发明专利

第二发明人

9

一种用于制造SiC器件的高温退火方法

ZL 201210104300.5

发明专利

第三发明人

10

一种金属-SiC欧姆接触快速退火方法

ZL 201210000251.0

发明专利

第三发明人

 

 

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