刘艳

刘艳讲师

Email：374996845@qq.com

教育经历：

2012.09-2017.06：山东大学微电子学院微电子学与固体电子学专业学习,获得工学博士学位

2008.09-2011.01：河北工业大学理论物理专业学习,获得理学硕士学位

2004.09-2008.06：长春理工大学光电信息学院电子科学与技术专业学习,获得工学学士学位

工作经历：

2024.01 至 今, 太阳集团电子游戏, 72779太阳集团游戏, 讲师

2017.11-2023.12, 杭州电子科技大学, 电子信息学院, 讲师

2009.09-2010.03, 河北工业大学, 理学院, 助教研究领域：二维半导体器件；GaN基光电器件

承担研究课题：

1.凹槽栅增强型AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射机制变温研究（11847139）, 2019.01-2019.12,国家自然科学基金,主持

2.AlGaN/AlN/GaN HFETs中极化库仑场散射的温度依赖关系研究（LQ19F040009）, 2019.01-2021.12,浙江省自然基金,主持

公司产品：招收半导体与集成电路方向研究生

学术论文：

(1) Yan Liu; Tao Wang; Changyang Huang; Simin Chen ; Temperature-dependent source accessresistance in AlGaN/AlN/GaN HFETs with different ratios of gate-source distance to gate-draindistance, Solid-State Electronics, Vol. 193: pp.108290,2022

(2) Yan Liu; Simin Chen; Zhiqun Cheng; Tao Wang; Changyang Huang; Guangyuan Jiang; HaipengZhang; Yingqi Cai ; Temperature dependence of the strain of the AlGaN barrier layer under thegate in AlGaN/AlN/GaN HFETs, Micro and Nanostructures, Vol. 164: pp. 107160, 2022

(3) Yan Liu; Simin Chen; Zhaojun Lin; Guangyuan Jiang; Tao Wang ; Comparison of ratio of gatelength to gate-drain distance influences on source access resistance of AlGaN/AlN/GaN HFETs atdifferent temperatures, Microelectronic Engineering, Vol. 247: pp. 111594, 2021

(4) Yan Liu; Zhaojun Lin; Peng Cui; Chen Fu; Yuanjie Lv; Zhiqun Cheng ; Influence ofpolarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaNheterostructure field-effect transistors, Superlattices and Microstructures, Vol. 120: pp.389-394, 2018

(5) Yan Liu; Zhaojun Lin; Peng Cui; Jingtao Zhao; Chen Fu; Ming Yang; Yuanjie Lv ; Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effecttransistors, AIP Advances, Vol. 7: pp. 085309, 2017